| 학회 | 한국재료학회 |
| 학술대회 | 2004년 가을 (11/05 ~ 11/05, 인하대학교) |
| 권호 | 10권 2호 |
| 발표분야 | 금속 |
| 제목 | Cl-, Glue 및 HEC를 첨가제로 사용하여 Cu 전해도금시 전류밀도와 교반의 영향 |
| 초록 | 황산구리 전해액을 이용하여 copper thin film을 제조하는 경우에 Cl-, Glue, HEC 등의 첨가제가 Cu electrodeposition에 미치는 영향에 대하여 연구하였다. 생산 현장과 유사한 조건에서 연구를 하기 위하여 정전류 방법을 이용하였고, 전해액의 조성은 100g/ℓ Cu2+ + 100g/ℓ H2SO4, 온도는 65℃, 비교전극은 Hg/Hg2SO4(+656 mV vs. SHE)을 이용하였고, 양극으로 Pt를 이용하였다. Thin film의 제조시에는 초기 핵생성과 성장의 제어가 중요하기 때문에 전류밀도와 첨가제를 변화시켜 deposition의 초기 미세조직을 SEM과 FESEM을 이용하여 관찰하였다. 분극곡선을 구하기 위하여 EG&G 273A를 이용하였고, 조도측정기를 이용하여 Cu thin film의 조도를 측정하였다. Sulfate solution에 Glue와 HEC를 첨가하면 초기 구리의 핵들이 미세해지면서 dendrite 성장 하는 것을 억제하여 cathode 전반에 걸쳐 균일한 film을 얻을 수 있었다. 높은 전류밀도에서는 과다한 산소의 발생으로 도금층의 미세조직이 분말상으로 존재하였는데 이러한 효과는 교반을 통하여 억제할 수 있었다. |
| 저자 | 윤영민1, 김한진2, 박일송1, 윤정모1, 설경원1 |
| 소속 | 1전북대, 2LG전선 |
| 키워드 | Thin film; 정전류 방법; additives; Cl; Glue; HEC(hydroethylcellulose); stirring effect |
