| 초록 |
LED(Light emitting diode)는 GaN, InGaN기반으로 가시광 영역의 red LEDs, Green을 걸쳐 blue LEDs까지 사람이 인지하는 영역의 개발을 끝냈다. 이후 가시광보다 단파장인 UV(Ultraviolet)LEDs은 AlGaN기반으로 연구가 활발히 진행되고 있다. UV-LEDs은 주로 파장의 길이에 따라 UV-A, UV-B와 UV-C로 구분이 된다. 각 파장마다 다양한 응용분야를 가지고 있으며, 주로 의료, 정수, 센서 등 다양한 분야에서 연구가 진행되고 있다. 또한 가시광 영역의 LED chip에서 사용하는 기판인 PSS(patterned sapphire substrate)를 사용하여 AlGaN template를 성장하고자 한다. 우리는 이 중 UV-A(315~400nm)를 연구를 했다. AlxGa1-xN을 성장하는데 있어 Al의 재료 특성상 X의 농도가 증가할수록 crack이 발생하여 template의 성장에 매우 어려움이 있다. 우리는 고농도 Al의 AlGaN template를 성장시키기위해 다양한 방법을 사용하여 crack이 없는 AlGaN template를 성장시켰다. 처음으로는 서로 다른 농도의 층을 성장을 시켰으며, 다른 방법으로는 AlGaN layer와 layer 사이에 interlayer를 삽입하여 film이 가지고 있는 스트레스를 해소를 시켰다. 이는 SEM으로 crack여부를 확인하였으며, EDX로 AlGaN에서 Al의 농도를 확인하였으며, XRD로 epi성장을 하였는지 확인하였다. AlGaN의 film이 가지고 있는 stress를 분석하기 위해 Raman spectroscope를 사용하여 확인하였다. |
