| 학회 | 한국화학공학회 |
| 학술대회 | 2000년 가을 (10/20 ~ 10/21, 포항공과대학교) |
| 권호 | 6권 2호, p.4801 |
| 발표분야 | 재료 |
| 제목 | Modified Hydride VPE 법을 이용한 Sapphire 기판 상의 GaN 성장에 관한 연구 |
| 초록 | 본 연구에서는 기존의 HVPE법을 개선하여 GaN 기판 제조를 위해 직접 설계 제작한 modified HVPE 반응 장치를 이용하여, 면적이 10×10 ㎟인 사파이어 기판 위에 GaN을 증착하였으며 공정 변수의 변화에 따른 성장된 GaN 박막의 특성에 관하여 연구하였다. |
| 저자 | 윤덕선, 여석기, 서정찬, 최진식, 최순욱, 이관석, 박진호 |
| 소속 | 영남대 |
| 키워드 | |
| 원문파일 | 초록 보기 |
