| 학회 |
한국재료학회 |
| 학술대회 |
2013년 봄 (05/23 ~ 05/24, 여수 엠블호텔(THE MVL)) |
| 권호 |
19권 1호 |
| 발표분야 |
C. 에너지/환경 재료(Energy and Environmental Materials) |
| 제목 |
CdTe 태양전지 후면 전극 형성 방법에 따라 변화하는 Schottky barrier height의 측정값 |
| 초록 |
CdTe 박막의 높은 일함수 때문에 CdS/CdTe 박막 태양전지에서는 오랜 기간 후면 전극의 높은 저항이 효율 상승의 큰 장벽으로 보고되고 있다. 이를 개선하고자 여러 방법들이 시도 되어 왔다. 예를 들어, 용액 식각 공정을 이용하여 CdTe 박막 표면을 Te rich 상으로 만들거나, Cu 확산을 통해 도핑 하는 방법과 buffer layer 삽입 방법 등이 있다. 본 연구에서는 Cu 도핑 방법과 buffer layer 삽입 방식을 적용 하였을 때 CdTe/후면 전극의 Schottky barrier height가 어떻게 변화하는지를 Richardson plot 방법을 통해 연구한 내용을 보고하고자 한다 |
| 저자 |
천승주, 김수민, 이승훈, 양광석, 김지현, 김동환
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| 소속 |
고려대 |
| 키워드 |
CdTe; Schottky barrier height; Richardson plot
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