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Development of a Basic Model for Cerium Oxide Based Interfacial Switching Memory Device Using Finite Element Method.
Sagar Khot, 정동명, 권용우
한국재료학회 2021년 가을 학술대회 |
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Developing a Basic Model for Interfacial Switching Mechanism of Cerium Oxide Based Resistive Memory Using Finite Element Method
Sagar Khot, 정동명, 권용우
한국재료학회 2021년 봄 학술대회 |
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Wafer-Scale Formation of metallic van der Waals Electrodes with Ideal Schottky Barriers for Two-Dimensional Nanoelectronics
권순용
한국재료학회 2020년 봄 학술대회 |
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Effect of Al Composition on the Performances of AlGaN/GaN HEMTs
최여진, 최진석, 임기식, 안성진
한국재료학회 2020년 봄 학술대회 |
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Wafer-Scale Logic Circuits Based on Vertically Stacked CVD-Grown Graphene/MoS2 Heterostructure
김성찬, 최영진, 조정호
한국고분자학회 2019년 봄 학술대회 |
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Wafer-Scale Logic Circuits Based on Vertically Stacked CVD-Grown Graphene/MoS2 Heterostructure
김성찬, 조정호
한국공업화학회 2019년 봄 학술대회 |
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Selective Exciton Activation to Realize Narrow-Band, Thin-Film and Full-Color Organic Photodiodes
심규민, 정대성
한국고분자학회 2018년 봄 학술대회 |
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Schottky Barrier-Controllable Graphene Electrode for Organic Vertical P-N Junction Photodiodes
최영진, 김종수, 우휘제, 양지혜, 송영제, 강문성, 조정호
한국고분자학회 2018년 봄 학술대회 |
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Electrolyte-Gated Flexible Graphene Schottky Barrier Transistors
조정호
한국재료학회 2018년 가을 학술대회 |
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Modulating Electrical and Photoelectrical Properties of 2D TMDCs
함문호
한국재료학회 2018년 가을 학술대회 |
