| 초록 |
반도체 공정에서 사용되는 에칭에는 크게 두 가지 기법, 습식(wet)에칭과 건식(dry; plasma)에칭이 있다. 습식에칭은 많은 경우 수평방향과 수직방향으로 에칭속도가 같은 등방성(isotropic etching)을 가진다. 반면에 플라즈마 에칭의 경우는 공정조건을 조절함으로써 수직방향으로의 에칭속도가 선폭방향의 에칭속도보다 빠른 비등방성(anisotropic)에칭이 가능하다. 따라서 에칭하고자 하는 선폭이 2-3μ이하인 경우는 비등방성을 가지는 플라즈마 에칭이 많이 사용되고 있다. IC의 집적도가 높아짐에 따라 가공해야 하는 최소 선폭이 점점 더 작아지고 있으며, 이에 따라 플라즈마 에칭의 상대적 사용빈도도 높아지고 있다. 그러나 플라즈마 에칭은 비등방성이라는 장점이 있는 반면, loading effect[1]나 높은 에너지의 이온에 의한 radiation damage[2]와 같은 새로운 종류의 문제를 야기시켰다. 따라서 플라즈마에 수반된 물리 및 화학적 현상들에 대한 이해의 증진이 필요하다.
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