| 학회 |
한국재료학회 |
| 학술대회 |
2005년 가을 (11/10 ~ 11/11, 한양대학교) |
| 권호 |
11권 2호 |
| 발표분야 |
전자재료 |
| 제목 |
구리 전해도금 시 핵생성과 성장에 미치는 첨가제의 분자량과 조성비에 대한 영향 |
| 초록 |
전자 부품이 소형화됨에 따라 더 정교하고 미세한 전기회로가 요구되고, 따라서 PCB 기판의 전기회로로 이용되는 Cu foil 또한 얇고 균일하여야 한다. 이러한 Cu foil을 생산하기 위해서는 구리의 전해도금 시 첨가제의 첨가량을 제어하는 것은 매우 중요하다. 본 연구에서는 티타늄 foil을 기판으로 하여 구리 전해도금을 할 경우 첨가제(Gule)의 분자량, 첨가량에 따라 초기 핵생성과 성장에 미치는 효과에 대한 연구를 하였다. 전해액의 조성은 100g/ℓ Cu2+ + 100g/ℓ H2SO4, 온도는 65℃로 일정하게 유지하였다. 비교전극으로는 Hg/Hg2SO4 (+656 mV vs. SHE)전극을 이용하였고 양극으로는 Cu를 사용하였다. 구리의 초기 핵생성과 성장에 대한 특징을 분석하기 위하여 전기화학적 방법(EG&G 273A), SEM 및 조도측정기를 이용하였다. 황산구리 전해액을 이용하여 구리 전해도금 시 Glue를 첨가한 경우 분자량에 따라 결정의 크기와 형태가 변화하는 경향이 있었다. 또한, 첨가제의 첨가량을 조절함으로써 Cu foil의 표면 형상 및 결정의 크기를 조절할 수 있었다. Gum arabic를 개별적으로 첨가하였을 경우 약 11μm 두께의 Cu foil 표면에 큰 nodular가 존재하였으나, Cl-이온과 복합적으로 첨가한 전해액 조성에서는 nodular이 상당수 감소되었다. |
| 저자 |
우태규1, 설경원1, 박일송1, 윤영민1, 우경녕2, 이종호2
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| 소속 |
1전북대, 2GS 전선(정읍공장) |
| 키워드 |
Glue; Gum arabic; electrodeposition; molecular weigth
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