| 학회 | 한국화학공학회 |
| 학술대회 | 2002년 가을 (10/24 ~ 10/26, 서울대학교) |
| 권호 | 8권 2호, p.4826 |
| 발표분야 | 재료 |
| 제목 | Arsenic 도즈 량에 따른 코발트 실리사이드 표면위의 이상 산화 |
| 초록 | 본 연구는 반도체 기판에서 Arsenic을 과량 이온 주입하고, CoSi2 층을 형성한 후에 LPCVD 방법으로 oxide 막을 증착할 때 일어나는 이상 현상을 조사한 연구이다. As dose 량이 증가할수록 oxide 두께가 급격히 증가하는 현상을 보였는데, 이에 대한 연구결과이다. |
| 저자 | 조일현1, 성낙균2, 최경근3, 이종근, 이원규 |
| 소속 | 1하이닉스 반도체, 2System IC (연), 3Logic 공정 |
| 키워드 | Arsenic; cobalt silicide; chemical vapor deposition; silicon oxide; oxidation |
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| 원문파일 | 초록 보기 |
