| 학회 |
한국재료학회 |
| 학술대회 |
2018년 가을 (11/07 ~ 11/09, 여수 디오션리조트) |
| 권호 |
24권 2호 |
| 발표분야 |
G. 나노/박막 재료 분과 |
| 제목 |
AlN 완충층 증착조건에 따른 GaN 에피성장과 그에 따른 XRD, Raman, PL 분석 |
| 초록 |
발광다이오드는 고효율, 장수명 그리고 친환경 등의 장점으로 백열등을 대체할 조명기기로 많이 사용 되고 있다. 현재 AlN완충층을 이용한 GaN 기반 발광다이오드의 발전으로 점점 고품질의 발광 다이오드를 발명하는 데에 많은 연구자들이 연구를 진행하고 있다. 이번 연구에서는 완충층으로 사용한 AlN 증착조건에 따른 GaN 에피 성장 품질을 분석하였다. 실험방법으로는 요철 모양의 사파이어 기판 위에 공정온도에 따라 AlN 완충층을 스퍼터 증착하였고, 이 후 유기금속화학증착법을 이용하여 GaN층을 에피 성장하였다. 에피 성장 결과를 SEM 측정과 X-ray diffraction 측정, Raman 분석, PhotoLuminescence 측정을 진행하여 이번 연구를 분석하였다. 이 연구는 2017년도 산업통상자원부 및 한국산업기술평가관리원 연구비 지원에 의한 연구임(10067492). |
| 저자 |
안민주, 정우섭, 조승희, 고현아, 이두원, 심규연, 강성호, 변동진
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| 소속 |
고려대 |
| 키워드 |
GaN; AlN; 에피성장; Raman; PL; XRD
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| E-Mail |
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