| 학회 | 한국화학공학회 |
| 학술대회 | 1998년 봄 (04/24 ~ 04/25, KOEX) |
| 권호 | 4권 1호, p.941 |
| 발표분야 | 재료 |
| 제목 | MOCVD를 이용한 GaN박막 성장 및 특성 연구 |
| 초록 | Ⅲ-Ⅴ 족 화합물중 GaN 는 넓은 에너지 간격(3.4eV)과 직접 천이형 밴드 구조(direct transition type band structure)의 특성을 지니는 물질로서 청색이나자외선 영역의 발광소자에 응용이 기대되는 재료이다. 또한 열전도도가 크고(1.3 W/cm), 고온에서 안정하며, 포화전자 이동 속도가 크고, 화학적, 물리적으로 안정하여 고온, 고주파 영역에서 사용할 수 있는 전자소자로서의 응용이 기대되고 있다 [1].이와같은 GaN의 우수한 특성에도 불구하고 재료 성장의 어려움과 재료의 불안정성으로 인해 양질의 GaN 박막을 얻기 힘든 실정이다.Ⅲ-Ⅴ족 화합물 반도체의 근간이되는 GaN 박막을 성장하는데는 현재 sapphire 기판위에500∼600℃로 AlN 또는 GaN buffer layer를 증착시키고 그 위에 GaN 를 성장하고 있는데1000℃ 이상의 고온이 필요하여 박막의 질 저하와 소자의 효율 감소등의 문제가 대두되고있다 [2]. 따라서 이러한 문제점을 극복하기위해 플라즈마를 이용한 CVD 및 MBE 연구가활발하게 제시되고 있다 [3]. 이에 본 연구에서는 저온에서 양질의 GaN 박막을 성장시키기위해 rf 플라즈마를 이용하는 한편 기존에 확립되어있는 MOCVD장비를 사용하여 단결정GaN 박막을 성장시키고자 하였다. 성장된 박막의 결정성 및 화학적 조성을 측정하기위해XRD, XPS 분석을 실시하였으며 PL을 이용하여 분광학적 특성 평가를 수행하였다. 또한시료의 표면 미세 구조를 관찰하기 위하여 AFM 및 SEM 분석을 실시하였다. |
| 저자 | 양승현, 김선중, 심현욱, 서영훈, 남기석 |
| 소속 | 전북대 |
| 키워드 | GaN; MOCVD; PL |
| 원문파일 | 초록 보기 |
