화학공학소재연구정보센터
번호 제목
3 금속 갈륨과 암모니아의 직접반응에 의한GaN 후막성장과 특성 연구|High Temperature Vapor Phase Growth and Characterization of GaN by the Direct Reaction of Ga and NH3
안상현, 양승현, 이상현, 남기석|Sang Hyun Ahn, Seung Hyun Yang, Sang Hyun Lee, Kee Suk Nahm
한국화학공학회 2000년 봄 학술대회
2 화학기상증착반응기에서 금속 갈륨(Ga)과 암모니아(NH3)의 직접반응에 의한 thick GaN 성장과 특성연구|Growth and Characterization of thick GaN film by the direct reaction of metal Ga and NH3 in CVD reactor
양승현, 안상현, 남기석|Seung Hyun Yang, Sang Hyun Ahn, Kee Suk Nahm
한국화학공학회 1999년 봄 학술대회
1 MOCVD를 이용한 GaN박막 성장 및 특성 연구|Growth and Characterization of GaN film grown by MOCVD
양승현, 김선중, 심현욱, 서영훈, 남기석|S. H. Yang, S. J. Kim, H. W. Shim, Y. H. Seo, K. S. Nahm
한국화학공학회 1998년 봄 학술대회