| 학회 | 한국화학공학회 |
| 학술대회 | 2001년 가을 (10/19 ~ 10/20, 한밭대학교) |
| 권호 | 7권 2호, p.5199 |
| 발표분야 | 재료 |
| 제목 | GaN-based 발광소자에서 식각 속도에 기인한 PECVD 산화막 증착 조건에 관한 연구 |
| 초록 | 본연구는 GaN 발광소자에서 hard mask로 사용되는 SiO2 산화막을 PECVD를 이용하여 증착하는 최적조건을 제시하였다. 또한 SiO2 산화막을 ICP로 건식 식각하여 식각 특성을 고찰해 보았다. |
| 저자 | 최창선, 김태희, 홍주형, 박형조, 한윤봉 |
| 소속 | 전북대 반도체 과학기술학과 |
| 키워드 | SiO2; Deposition; LED; GaN; |
| 원문파일 | 초록 보기 |
