| 학회 | 한국재료학회 |
| 학술대회 | 2006년 봄 (05/19 ~ 05/20, 경상대학교 ) |
| 권호 | 12권 1호 |
| 발표분야 | 반도체재료 |
| 제목 | 사파이어 기판 및 GaN buffer layer의 성장에 미치는 기판 ion beam 조사의 영향(Influence of ion beam bombardment on sapphire substrate and growth of GaN buffer layer) |
| 초록 | GaN와 질화물 반도체는 기존의 화합물 반도체에 비해서 밴드갭 에너지는 1.9eV에서 6.2eV까지 넓게 조절될 수 있기 때문에 자외선 영역에서 청/녹색까지의 발광소자(LED)및 레이저 다이오드(LD)와 자외선 검출기(Dector)등의 광소자 재현이 가능하다. GaN계 에피층을 이용한 광전소자에서는 주로 sapphire를 기판으로 사용하여 제조된다. GaN과 sapphire 기판의 격자부정합은 16%로 매우 크기 때문에 buffer층을 필요로 한다. 그러나 발광소자의 효율을 높이기 위해 부정합을 완화시키기 위한 다른 방법이 요구된다. 격자 부정합을 완화하기 위한 한가지 방법으로서 sapphire 기판에 여러가지 종류의 ion을 조사함으로서 sapphire 격자에 물리적 손상을 주어서 격자부정합을 감소시켜 사파이어 기판의 특성 및 이온 조사 기판에 성장한 GaN buffer layer의 특성 변화를 조사하였다. 조사한 이온의 종류는 Proton, He+, Ar+, Xe+이며, 각각의 이온을 sapphire기판에 조사하였다. 또한 여러가지 종류의 sapphire 기판 표면의 변화를 AFM과 XRD를 사용하여 분석하였다. 이온이 주입된 sapphire 기판에 MOCVD를 이용하여 GaN buffer layer의 표면특성을 AFM을 사용하여 분석하였다. |
| 저자 | 최승규, 장재민, 정우광 |
| 소속 | 국민대 |
| 키워드 | GaN; MOCVD |
