| 초록 |
ULSI(Ultra Large Scale Integrated) 소자의 미세화, 고집적화 및 고속화 요구에 응하기 위하여 다층 배선 기술에 대한 신기술이 요구되고 있으며, 층간 및 배선간 절연물질이 중요한 이슈로 떠오르고 있다. 일반적으로 저유전막들은 기존 SiO2골격 구조에 methyl그룹을 첨가하여 격자내 미세기공을 형성함으로써 유전율을 2.5이하로 낮게 유지함은 물론 그 물성이 hydrophobic하게 되므로 대기중의 수분흡수에 의한 악영향을 피할 수 있는 추가이점이 따른다. 그러나 Damascene공정의 특성상 저유전 막질의 패턴화를 위한 Plasma ash공정이 필수적이나, Plasma에 노출에 의한 실라놀 그룹의 생성으로 인한 막질의 친수성화가 심각하게 발생되어 배선 축소에 따른 delay 감소효과를 무의미하게 만들게 된다. 따라서 본 연구에서는 적합한 Silylation agent를 scCO2내에 용해시켜 보수반응을 진행함으로써 손상된 저유전막의 보수반응을 극대화 하는방법을 조사하였다. |
