| 학회 | 한국재료학회 |
| 학술대회 | 2011년 가을 (10/27 ~ 10/29, 신라대학교) |
| 권호 | 17권 2호 |
| 발표분야 | A. Information and Sensor Materials(정보소재 및 센서) |
| 제목 | 상부 전극의 변화가 TiO2 저항 변화 메모리 소자에 미치는 영향 |
| 초록 | 저항 변화 메모리(Resistive RAM)란 인가하는 전압에 따라 저항이 변하는 특성을 이용한 메모리로 저항 변화 물질로는 NiO, Al2O3, TiO2 등 산화물계 물질에 대한 특성이 널리 연구되어 왔다. 본 연구에서는 상부 전극의 물질 변화가 소자의 동작 특성에 미치는 영향을 고찰하였다. 금속-산화물-금속 구조에서, 하부 전극은 Pt, 저항 변화 물질은 TIO2를 사용하였고, 상부 전극으로 Pt와 TiN을 사용하였다. 소자의 전기적 특성 분석 결과, 두 시편 모두 10 배 이상의 On/Off Ratio를 보였으며 ±1.5V 이하의 저전압에서 구동이 가능하였다. 또한 상부 전극으로 TiN을 사용한 소자의 고저항 상태 전류가 Pt를 사용한 소자의 전류보다 수 10-3 A정도 낮았다. |
| 저자 | 임정원, 김선중, 이종흔 |
| 소속 | 고려대 |
| 키워드 | ReRAM; TiO2; Bipolar Switching |
