| 학회 | 한국공업화학회 |
| 학술대회 | 2017년 가을 (11/08 ~ 11/10, 부산 벡스코(BEXCO)) |
| 권호 | 21권 2호 |
| 발표분야 | 우수논문(구두)_박사과정 |
| 제목 | 유·무기 페로브스카이트 광다이오드 제작과 이미지 센서로의 응용 |
| 초록 | 최근, 유·무기 페로브스카이트 물질이 차세대 광소자의 활성화층으로서의 가능성을 보여주면서, 이를 실질적으로 활용하기 위한 시도들이 진행되었다. 유·무기 페로브스카이트 물질의 유기 양이온이 극성 용액에 취약하기 때문에 일반적인 리소그래피방식으로는 패터닝할 수 없어 기존에는 금속 위에 유·무기 페로브스카이트 전구체를 전기도금하여 결정을 성장시키는 방법으로 패터닝을 하였는데, 이번 연구에서는 비젖음 현상을 이용하여 유·무기 페로브스카이트 물질을 정공/전자 수송층 위에 도포하는 기술을 이용하여 유·무기 페로브스카이트 물질을 패터닝하였다. 정공/전자 수송층 위에 유·무기 페로브스카이트 물질을 도포하였기에 기존 방식으로는 불가능하였던 광다이오드를 제작할 수 있었고, 앞서 제작한 광다이오드와 실리콘 블로킹다이오드를 집적시켜 이미지 센서로의 응용이 가능하다는 것을 확인하였다. 이렇게 제작한 유·무기 페로브스카이트 이미지 센서는 더 두꺼운 상용화된 실리콘 이미지 센서와 비슷한 성능을 보였다. |
| 저자 | 이웅찬 |
| 소속 | 서울대 |
| 키워드 | 페로브스카이트; 패터닝; 광다이오드; 이미지 센서 |
