| 학회 | 한국공업화학회 |
| 학술대회 | 2014년 봄 (04/30 ~ 05/02, 제주국제컨벤션센터) |
| 권호 | 18권 1호 |
| 발표분야 | 포스터-정보.전자소재 |
| 제목 | Direct Injection에 의한 QD-LEDs의 전기적 및 광학적 특성 |
| 초록 | 양자점(Quantum Dot)은 기존에 사용되는 디스플레이 발광 소재와 비교해 보면 효율과 휘도, 색순도, 재료의 안정성이 우수하고, 흡수 파장 영역이 넓기 때문에 디스플레이 발광 재료로써 활발한 연구가 진행되고 있다. 본 연구에서는 CdSe/ZnS로 이루어진 양자점을 사용하여 QD-LEDs를 제작하고 그에 따른 전기적, 광학적 특성을 분석하였다. 양극은 Photo Lithography 공정으로 ITO(Indium Tin Oxide) 패턴을 형성하였고, 정공수송층인 분자량 117000의 Poly-TPD를 Chlorobenzene에 22mg/ml, 발광층인 양자점 재료는 Heptane에 5mg/ml으로 용액공정을 하였다. 음극인 Al은 Thermal Evaporation을 이용하여 증착하였다. 전류밀도(J)-전압(V)-휘도(L)특성에서는 15.2V일 때 전류밀도 143.4mA/cm2와 2369cd/m2의 최대휘도가 구현되었으며, 최대 전류 효율은 2.224cd/A를 나타내었다. |
| 저자 | 김강희, 문대규 |
| 소속 | 순천향대 |
| 키워드 | 양자점; QD; Quantum Dot |
