| 학회 | 한국화학공학회 |
| 학술대회 | 2017년 가을 (10/25 ~ 10/27, 대전컨벤션센터) |
| 권호 | 23권 2호, p.2139 |
| 발표분야 | 재료 |
| 제목 | 유기용매 기반의 implanted photoresist strip 용액 개발 |
| 초록 | III-V족 반도체는 실리콘에 비하여 높은 electron mobility를 가지고 있어 새로운 채널 물질로 주목 받고 있다. 그러나 아직까지 III-V족 반도체의 세정에 대해서는 많은 연구가 보고되지 않았다. 특히 III-V족 반도체는 SPM에 의하여 쉽게 식각되므로 SPM을 대체할 수 있는 photoresist stripping solution의 개발이 필요하다. 따라서 III-V족 반도체와 반응하지 않고 implanted photoresist만 선택적으로 제거할 수 있는 유기용매 기반의 혼합 용액을 개발하였다. 본 연구에서는 다양한 유기용매와 소량의 additive를 혼합하여 high dose (5×1015/cm2) implanted photoresist를 제거하기 위한 mixture를 개발하였다. Photoresist의 제거는 in-situ MIR-FTIR과 optical microscope을 이용하여 관찰하였으며 FE-SEM, AFM을 이용하여 기판의 데미지를 분석하였다. 혼합용액은 photoresist와 높은 affinity를 갖는 유기용매인 dimethyl sulfoxide를 기반으로 permeability를 증가시키는 acetonitrile을 혼합하였으며 crust와 반응성을 향상시켜 줄 수 있는 additive를 소량 첨가하여 완성하였다. 개발된 혼합용액은 implanted photoresist를 효과적으로 제거하였으며 III-V족 반도체에 영향을 미치지 않는 것을 확인하였다. |
| 저자 | 오은석, 임상우 |
| 소속 | 연세대 |
| 키워드 | 화공소재 전반 |
| 원문파일 | 초록 보기 |
