| 학회 | 한국재료학회 |
| 학술대회 | 2012년 가을 (11/07 ~ 11/09, 라카이샌드파인 리조트) |
| 권호 | 18권 2호 |
| 발표분야 | F. 광기능/디스플레이 재료(Optical Funtional and Display Materials) |
| 제목 | RF 출력이 n-ZnO/p-GaN 이종접합구조 LED의 동작특성에 미치는 영향 |
| 초록 | 본 연구에서는 RF 스퍼터링법으로 사파이어 기판위에 RF 출력을 달리하여 ZnO 박막을 성장 시킨 후 특성을 평가하고, n-ZnO/p-GaN 이종접합다이오드를 제작하여 RF 출력이 소자에 미치는 영향을 조사하였다. ZnO 박막의 성장을 위해 기판의 온도는 200 ℃로 유지하고 RF 출력을 200 - 500 W로 변화시키며 성장시간을 달리하여 100 um의 동일한 두께로 성장하였다. ZnO 박막의 특성은 엘립소미터, XRD, AFM, PL 및 홀효과 등으로 측정하였고, n-ZnO/p-GaN 이종접합다이오드는 반도체파라미터, EL 등을 이용하여 전기적, 광학적, 구조적 특성을 평가하였다. 사파이어 기판위에 성장된 ZnO 박막은 c-축 방향으로 우선 배향되어 성장되었고, RF 출력이 증가하면서 X 선회절선의 각도가 낮아지고, 표면의 거칠기는 불균일해졌다. 또한 PL 스펙트럼은 red-shift 하였고, 전기적 특성인 운반자 농도와 이동도는 감소하며 비저항은 증가하였다. 한편, 이종접합구조 LED에서는 순방향의 전류값이 감소하였고 문턱전압은 증가하였으며, EL 스펙트럼은 435 nm 부근에서 관찰되었고 RF 출력이 증가함에 따라 발광강도가 감소하였다. |
| 저자 | 신동휘, 변창섭, 김선태 |
| 소속 | 한밭대 |
| 키워드 | ZnO; RF sputtering; heterostructure; LED |
