| 학회 | 한국화학공학회 |
| 학술대회 | 2009년 가을 (10/22 ~ 10/23, 일산 KINTEX) |
| 권호 | 15권 2호, p.2154 |
| 발표분야 | 재료 |
| 제목 | Ge 표면상에 생성되는 GeO2 층의 에칭에 관한 연구 |
| 초록 | 기존의 Si 기반 반도체가 동작속도의 한계에 도달한 현 상황에서, Ge은 Si에 비하여 빠른 정공 이동도와 좁은 밴드갭 특성을 보유하여 차세대 고성능 반도체 기반 물질로 각광을 받고 있다. 그러나 GeO2는 물을 비롯한 각종 용매에서 쉽게 용해되는 단점이 있어 Ge 표면을 세정하는데 공정상의 문제가 있다. 이를 해결하여 안정성이 높은 Ge passivation을 확보하기 위해서는 GeO2의 에칭에 대한 체계적인 연구가 필요하다. 본 연구에서는 오존을 이용한 Ge 표면의 산화를 관찰하고, 산화막인 GeO2를 다양한 온도와 pH에서 여러 용매를 통해 에칭을 수행함으로써 식각반응 저항성을 높일 수 있는 조건을 알아보았다. 이를 위하여 MIR FT-IR의 peak intensity를 통하여 산화막의 상대적 두께를 알아보고, Ellipsometer 측정을 통하여 산화막의 두께를 확인해보았으며, 이 결과들을 토대로 GeO2의 식각반응속도를 구하였다. |
| 저자 | 임경택, 윤미현, 양자현, 임상우 |
| 소속 | 연세대 |
| 키워드 | Germanium; Oxidation; Etching; Oxide |
| 원문파일 | 초록 보기 |
