| 학회 | 한국재료학회 |
| 학술대회 | 2014년 가을 (11/27 ~ 11/28, 대전컨벤션센터) |
| 권호 | 20권 2호 |
| 발표분야 | A. 전자/반도체 재료(Electronic and Semiconductor Materials) |
| 제목 | ZnSe 단결정의 성장과 열소광 활성화 에너지 |
| 초록 | II-VI족 화합물 반도체인 ZnSe는 zinc blende 구조를 갖는 직접 천이형 반도체이고, 상온에서 2.69 eV의 에너지 띠간격을 갖기 때문에 가시광, 특히 청색 영역에서의 발광 및 수광 소자를 실현 할 수 있는 재료로 기대 되어진다 . 오래전부터 기초와 응용에 대하여 연구되었지만 물성제어가 어려워 아직 실용화 되지 못하고 있는데 그 이유는 이온결합이 커서(60~70%) 원자간 결합력이 약하지만 용융점이 높아 일반적으로 고온 고압에서 결정이 성장되므로 성장된 결정내에 많은 결함이 형성되어 고품위의 결정을 얻기 힘들기 때문이다. 본 연구에서는 reservoir를 사용하여 성장관의 압력을 조정하는 승화법으로 성장된 ZnSe 단결정에 대하여 온도 의존성에 의한 광전류(photocurrent)와 광발광(photoluminescence) 스펙트럼을 측정하여 에너지 띠 간격의 온도 의존성과 발광 메카니즘의 온도 의존성을 분석, 고찰하였 열소광 활성화 에너지를 연구하였다. |
| 저자 | 홍광준 |
| 소속 | 조선대 |
| 키워드 | ZnSe; 광발광; 승화법; 열소광 활성화 에너지를 |
