| 학회 | 한국화학공학회 |
| 학술대회 | 2003년 가을 (10/24 ~ 10/25, 한양대학교) |
| 권호 | 9권 2호, p.2756 |
| 발표분야 | 재료 |
| 제목 | Submicron-patterning of Si3N4/Si(100) using atomic force microscopy |
| 초록 | 나노 입자, 나노 와이어, 나노 튜브 등과 같은 나노 크기를 갖는 물질은 새로운 전기적, 광학적 특성 때문에 많은 관심을 받고 있다. 나노 크기의 패턴 구현은 여러 방법을 통하여 가능하나, STM, AFM을 이용한 proximal lithography는 위치 및 lateral dimension의 정확한 조절이 가능하다. 본 연구에서는 AFM을 이용한 양극 산화 반응을 통하여 Si3N4/Si(100)의 다양한 형태의 패터닝을 하고자 하였다. Si3N4는 공기 중의 산화에 대한 저항성 및 여러 다른 특성 때문에 많은 응용점이 있다. LPCVD 공정을 통하여 Si3N4를 Si(100) wafer 위에 얇게 입힌 다음(thickness |
| 저자 | 김창묵, 김영훈, 최인희, 김진수, 이종협 |
| 소속 | 서울대 |
| 키워드 | AFM |
| 원문파일 | 초록 보기 |
