| 학회 |
한국공업화학회 |
| 학술대회 |
2020년 가을 (10/28 ~ 10/30, 광주 김대중컨벤션센터(Kimdaejung Convention Center)) |
| 권호 |
24권 1호 |
| 발표분야 |
포스터-에너지저장·변환 |
| 제목 |
Hf-SnO2을 전자수송층으로 활용한 고광검출능 역구조 유기 photodetector에 대한 연구 |
| 초록 |
고광검출능의 Organic Photodetectors(OPDs)을 제작하기 위해서는 빛에 의해 생성된 전하의 수송/차단을 원활하게 해주는 버퍼층을 삽입하는 것이 효과적이다. 현재까지 우수한 전하 수송 특성 및 안정성을 갖는 금속 산화물을 버퍼층으로 사용하는 연구가 많이 진행되어 왔지만 ZnO, TiOx와 같은 금속 산화물 버퍼층의 경우 소자의 성능 향상과 안정성 및 지속성을 위해 UV 노출과 같은 light soaking 과정이 필수적이다. 본 연구에서는 light soaking이 불필요한 SnO2 금속산화물을 역구조 OPD의 정공차단층으로 사용함으로써 역전압에 의한 누설 전류를 감소시켜 광검출능을 향상시켰다. 또한 combustion synthesis method를 사용한 내부 발열반응을 통해 박막 산화과정에서 고온의 annealing 온도를 요구하는 Hf 원자를 저온에서(＜200℃) 도핑하여 Hf 원자가 도핑된 신규 SnO2 버퍼층을 제작하였다. 소자 구성은 ITO/ Hf-SnO2/ P3HT : PC60BM/ MoOx/ Ag 의 구조로 제작하였으며 Hf 원자 도핑을 통하여 SnO2 버퍼층 표면의 pin-hole과 표면결함을 줄여 소자의 누설 전류가 감소함을 확인하였다. |
| 저자 |
이선주1, 김기태2, 오세용1
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| 소속 |
1서강대, 2에너지환경(연) |
| 키워드 |
SnO2; Photodetector; Combustion; Doping
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| E-Mail |
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