| 초록 |
저비용의 용액공정을 이용해 Zinc Tin Oxide 반도체막을 Sol-gel 방식으로 박막 트랜지스터(TFT)를 제작하여 이동도 1.14 cm2/Vs, 점멸비 106 -107V, 그리고 문턱전압 1.91 V 의 소자성능을 확인하였다. ZTO 트랜지스터는 양의 방향의 게이트 전압을 인가함에 따라 문턱전압이 상승하는 등 불안정한 소자특성을 보이며, 이런 현상의 원인을 집중 탐구하고 분석하였다. 소자 안정성에 영향을 미치는 요인을 살피기 위해 실험을 한 결과 스트레스를 가하는 시간에 따라 문턱전압이 상승하는 것을 확인 하였고 인가되는 전압의 크기에 따라 문턱전압이 증가하는 폭이 커지는 것을 확인 할 수 있었다. 또한 스트레스를 가한 후 대기상에서의 방치 시간에 따라 다시 문턱전압은 스트레스를 가하기 이전 상태로 회복되는 현상을 관찰하였다. 이와 같은 게이트 전압 스트레스에 의한 문턱전압이 상승하는 현상은 채널 영역에서의 게이트 전압에 따른 acceptorlike trap에 의한 charge trapping/detrapping 현상으로 설명이 가능하다. 또한 잉크젯 프린팅으로 제작된 반도체 막을 갖는 TFT가 스핀코팅 소자에 비해서 스트레스에 의한 문턱전압 상승폭이 훨씬 큰 것을 확인 하였고, RBS분석과 TEM 분석을 통해 프린팅 방법에 따른 반도체막 내부의 nanopore의 양에 따라 소자 안정성이 차이가 나는 것을 확인 할 수 있었다. |
