| 학회 | 한국재료학회 |
| 학술대회 | 2011년 가을 (10/27 ~ 10/29, 신라대학교) |
| 권호 | 17권 2호 |
| 발표분야 | B. Nanomaterials and Processing Technology(나노소재기술) |
| 제목 | 수열합성법에서 비균일 핵성장을 이용한 PZT 막 성장 |
| 초록 | 수열합성법은 비교적 높은 기압과 250 oC이하의 온도에서 결정성이 우수한 세라믹을 제조하는 방법으로 많은 장점을 가지고 있다. 수열합성법으로 제조한 세라믹은 일반적으로 분말형태로 얻어지며, 막 형태로 성장하기 위해서는 핵성장에 필요한 기판이 필요하다. 일반적으로 수열합성법에 의해 성장한 세라믹막은 수열합성과정에서 사용된 Na+, K+의 이온에 의해 누설전류가 크며, 즉 고전압을 가할 수 없어서, 폴링이 어려우나, 수열합성법에 의해 성장한 PZT는 자발적으로 분극되어 별도의 poling과정 없이 형성된 박막을 사용할 수 있는 장점이 있다. 본 연구에서는 금속 Ti기판, TiO2, 결정성이 낮은 PZT막을 임의적으로 도입하여 결정성이 우수한 Pb(Zr,Ti)O3막을 성장하였다. 수열합성 반응에서 반응온도에 따른 막 성장 및 계면활성제에 따른 nano-wire의 성장거동 등을 관찰하였다. 비교적 낮은 온도의 수열합성반응에 의해 성장된 고결정성 PZT막은 유연한 에너지하베스팅 및 센서 등에 활용 될 수 있을 것이다. |
| 저자 | 이성화1, 이원희2, 임연수1, 강종윤2, 공영민3, 정대용4 |
| 소속 | 1명지대, 2한국과학기술(연), 3울산대, 4인하대 |
| 키워드 | PZT nano wire |
