화학공학소재연구정보센터
학회 한국화학공학회
학술대회 2006년 가을 (10/27 ~ 10/28, 고려대학교)
권호 12권 2호, p.2549
발표분야 재료
제목 입자에 Si:H 박막 코팅을 위한 플라즈마 반응기에서의 입자 성장
초록 본 연구에서는 입자에 Si:H 박막 코팅을 위한 플라즈마 반응기에서의 입자 성장을 이론적으로 분석하였다. 입자 코팅 공정 동안 입자 표면에 균일한 박막 성장을 위해 회전하는 실린더형 반응기를 사용하였다. 반응기의 회전 속도가 증가함에 따라 기상에 존재하는 입자들의 수는 증가하고 SiHx가 증착할 수 있는 전체 입자 표면적이 증가하므로 입자 표면의 박막 성장 속도는 증가하였다. 입자 농도나 입자 크기가 감소함에 따라 반응기 내에서의 SiHx 농도는 증가하고 입자 코팅에 의한 입자 성장 속도는 증가하였다. 본 연구의 결과로부터 회전하는 저온 플라즈마 방전 반응기는 양질의 박막 제조에 사용될 수 있을 것으로 판단된다.
저자 강진이, 박정훈, 나소노바 안나, Piyabutr Sunsap, 김동주, 김교선
소속 강원대
키워드 Si:H 박막; 입자코팅; 회전형 플라즈마 반응기
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