| 학회 |
한국재료학회 |
| 학술대회 |
2009년 봄 (05/21 ~ 05/22, 무주리조트) |
| 권호 |
15권 1호 |
| 발표분야 |
에너지환경재료 |
| 제목 |
Passivation Qualities of ALD Al2O3 Thin Film via Surface preparation for Crystalline Silicon Solar Cells |
| 초록 |
실리콘 태양전지의 효율 향상을 위한 노력의 일환으로 결정질 실리콘 웨이퍼 표면 passivation 물질 중 Atomic Layer Deposition (ALD)을 이용하여 증착한 Al2O3 박막에 대한 관심이 증가하고 있다. 본 연구에서는 실리콘 웨이퍼의 표면 상태에 따른 Al2O3 박막의 passivation 효과에 대해서 연구하였다. 실리콘 기판의 표면 상태에 따른 passivation 효과를 비교하기 위하여 실리콘 웨이퍼에 자연실리콘 산화막을 성장 시킨 시편과 화학적인 방법과 열적인 방법으로 성장시킨 실리콘 산화막을 성장 시킨 시편을 준비하였고, HF 처리를 통해 산화막을 제거한 기판으로 나누어 실험을 진행하였다. Al2O3 박막은 ADL 방법으로 증착하였으며, 증착 후 N2 분위기에서 annealing하였다. Annealing 후 각 샘플의 passivation quality를 비교하기 위하여 Quasi-Steady-State Photo Conductance를 사용하여 minority carrier lifetime을 측정하였다. Capacitance-Voltage measurement, Transmission Electron Microscopy, X-ray Photo-electron microscopy, Ellipsometry를 사용하여 실리콘 기판 표면 상태에 따른 Al2O3 박막에 대한 분석을 진행하였다. 본 연구를 통하여 표면 상태에 따른 ALD로 증착한 Al2O3 박막의 passivation 효과를 도출하고 그 원인을 분석하였으며 그에 따른 결정질 실리콘 태양전지의 효율 변화를 관찰하였다. |
| 저자 |
김영도, 박성은, 탁성주, 강민구, 이준성, 김동환
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| 소속 |
고려대 |
| 키워드 |
Atomic layer deposition; passivation; Al2O3; solar cell
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| E-Mail |
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