| 초록 |
본 연구에서는 InGaN LED칩을 여기원으로, CdSe 나노입자를 형광체로 하여 백색 LED 소자를 제조하고 그 특성을 살펴보았다. CdSe 나노입자는 CdO와 TOP-Se를 전구체로 사용하였으며, 온도조절을 통해서 540 nm와 610 nm의 발광파장을 가지는 입자를 성공적으로 합성하였다. 합성된 나노입자는 다양한 비율의 PMMA와 chloroform을 이용하여 혼합하였으며 drop 코팅으로 LED 칩위에 도포하였다. 다양한 비율의 CdSe 나노입자와 PMMA로 제조된 소자는 구동전류를 변화시키면서광 특성을 분석하였다.그 결과PMMA의 비율이 증가 할수록 효율이 상승함과 동시에, 외부전류에 관계없이 안정적인 색좌표와 연색지수를 보이는 것으로 나타났다. PMMA의 비율이 CdSe 나노입자 대비 200wt%에서 가장 좋은 광특성을 보였으며, 20mA에서 4.30 lm/W의 효율과,(0.36, 0.33)의 색좌표, 연색지수 85를 나타내었다. 또한 작동전압이 20mA에서 60mA로 증가하여도, 색좌표는 백색광 영역에서 크게 변화화지 않았고, 연색지수 역시 동일하게 유지되었다. |
