| 학회 |
한국고분자학회 |
| 학술대회 |
2009년 가을 (10/08 ~ 10/09, 광주과학기술원 오룡관) |
| 권호 |
34권 2호 |
| 발표분야 |
OLED 소재 및 소자기술 동향(분자전자 부문위원회) |
| 제목 |
Solution-processed flexible zinc oxide thin-film transistors fabricated by using the chemical bath method |
| 초록 |
용액 공정을 이용한 금속 산화물 반도체는 고온(＞ 300˚C)에서 열처리 과정을 거쳐야 하기 때문에 일반적으로 실리콘이나 유리 재료 기판를 이용한 트랜지스터가 대부분이었고 고분자 기판을 이용하기가 어려웠다. 따라서 본 연구에서는 polyarylate 기판을 사용하여 저온 공정이 가능한 chemical bath method를 이용해 zinc oxide 반도체를 기반으로 하는 플렉서블 금속 산화물 박막 트랜지스터를 제조하였다. 특히, 자기조립단분자막 (self-assembled monolayer, SAM)의 게이트 절연막과 oxygen plasma 처리를 이용한 선택적 자기조립기술 (selective self-organization technique)로 zinc oxide를 패터닝하였다. 이렇게 해서 얻은 플렉서블 박막 트랜지스터는 0.05 cm2/Vs의 이동도와 103 의 on/off ratio를 가지는 전기적 특성을 나타내었다. |
| 저자 |
안태규, 양찬우, 홍기표, 정대성, 남수지, 황지헌, 박찬언
|
| 소속 |
포항공과대 |
| 키워드 |
chemical bath method; zinc oxide; semiconductor
|
| E-Mail |
|
