| 학회 |
한국고분자학회 |
| 학술대회 |
2006년 봄 (04/06 ~ 04/07, 일산킨텍스) |
| 권호 |
31권 1호 |
| 발표분야 |
분자전자 부문위원회 |
| 제목 |
The nanoscopic and microscopic roughness effects of gate dielectrics on pentacene FETs |
| 초록 |
펜타센 전계효과 트랜지스터에서 게이트 절연막의 표면조도 특성이 트랜지스터 성능에 미치는 영향을 연구하였다. 전기전해연마(electropolishing)처리한 알루미늄 호일을 게이트 전극으로 사용한 소자의 게이트 절연막(PAMS/Al2O3)은 AFM상의 nanoscopic 표면조도는 RMS roughness가 약 0.5nm로 smooth한 반면 α-step surface profiler상의 microscopic 표면조도는 아주 rough한 표면조도특성을 나타남에도 불구하고 sputtered 알루미늄 게이트 전극을 사용한 소자특성과 대등한 성능을 나타내었다. 그래서 게이트 전극을 electropolished Al foil 또는 sputtered Al을 사용함으로써 microscopic 표면조도를 조절하고 sputtered Al 게이트 전극을 CMP(chemical mechanical polishing)처리 및 NaOH etching처리에 따라 nanoscopic 표면조도를 조절함으로써 펜타센 전계효과 트랜지스터에서 nanoscopic 및 microscopic 표면조도에 대한 영향을 보고자 하였다. 그 결과 microscopic 표면조도보다 nanoscopic 표면조도가 커질수록 소자성능의 저하가 현저함을 미루어 볼 때 nanoscopic 표면조도가 트랜지스터 성능에 더 큰 영향을 끼치는 것을 알 수 있었다. |
| 저자 |
양찬우, 신권우, 박찬언
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| 소속 |
포항공과대 |
| 키워드 |
OFET; roughness; gate dielectrics; pentacene
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| E-Mail |
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