| 학회 | 한국재료학회 |
| 학술대회 | 2006년 봄 (05/19 ~ 05/20, 경상대학교 ) |
| 권호 | 12권 1호 |
| 발표분야 | 전자재료 |
| 제목 | VS 법을 이용하여 합성한 GaN 나노선의 열산화 처리를 통한 GaN/Ga2O3 나노 케이블의 제작과 특성 평가(Fabrication and characterization of GaN/Ga2O3 nanocables through thermal oxidation of GaN nanowires synthesized by VS method) |
| 초록 | GaN는 상온에서 3.4 eV의 밴드갭 에너지를 갖는 III-V족 반도체 재료로써 박막의 경우 광전자소자로 폭넓게 응용되고 있다. 최근 GaN 나노선의 성공적인 합성이 보고되면서 GaN 나노선을 이용한 고효율의 일차원 트랜지스터, 광검출소자, 바이오·환경 센서뿐만이 아니라, 논리회로 등의 고기능성 나노소자의 실용화에 가장 근접해 있는 나노소재로 주목을 받고 있다. 특히 GaN/Ga2O3의 core/shell 구조를 갖는 1차원 나노구조인 나노케이블은 약 10의 유전상수를 가진 Ga2O3의 게이트 유전체로서의 기능성 때문에 나노 전계효과트랜지스터 (FET)로의 응용이 기대되고 있다. 본 연구에서는 vapor solid (VS)법을 이용하여 GaN 나노선을 합성하고, 열 산화처리를 통해 GaN/Ga2O3 구조의 나노 케이블을 제작하여 그 특성을 고찰하고자 한다. X-ray diffration (XRD)과 Field Emission Scanning Electron Microscope (FESEM) 그리고 Energy Dispersive X-ray spctroscopy (EDX) 측정을 통해 GaN 나노선과 GaN/Ga2O3 나노케이블이 성공적으로 합성되었음을 확인하였다. Field emission scanning electron microscopy (FESEM)과 high-resolution transmission electron microscopy (HRTEM)을 이용하여 합성된 GaN 나노선과 GaN/Ga2O3 나노 케이블의 형상과 결정성을 확인하였다. 또한 GaN 나노선과 GaN/Ga2O3 나노케이블의 전기적인 특성을 평가하였다. |
| 저자 | 최지혁, 함문호, 명재민 |
| 소속 | 연세대 |
| 키워드 | GaN nanowires; GaN/Ga2O3 nanocables; VS method |
