| 초록 |
최근 산화물 반도체의 p-n 이종접합을 기반으로 새로운 특성을 발견하고자 많은 연구가 진행됐다. 이 연구에서는 산화구리 박막이 산화아연 나노로드를 덮고 있는 형태의 이종접합체를 제작하고, 그것의 가스 감지 특성을 연구하였다. 산화아연 나노로드는 스핀코팅과 수열합성법으로 ITO(indium-tin-oxide) 기판 위에 제작되었고, 그 다음에 산화아연 나노로드 위에 산화구리를 스핀코팅법으로 제작하여 p-n 산화물 이종접합 구조를 형성하였다. 산화구리/산화아연 나노로드 이종접합체의 전류-전압 특성은 비선형 다이오드 정류 특성을 보여 주었고, 온도가 증가함에 따라 순방향 전류가 증가함을 확인하였다. 그 다음에 산화아연/산화구리 박막 이종접합체를 산화성 가스인 일산화질소 가스에 노출했으며, 일산화질소 가스 농도를 5ppm에서 30ppm까지 변화시켰다. 그 결과 농도가 증가함에 따라 p-n 이종접합의 순방향전류가 점점 감소함을 확인하였다. 마지막으로 작동 온도 150oC에서 산화아연/산화구리 박막 이종접합체에 20ppm의 일산화질소 가스를 주기적으로 노출한 결과 안정적이고 반복적인 전류 특성을 보여주었다. 이 연구를 통해 제작된 산화구리/산화아연 나노로드 이종 접합 구조가 산화물 전자 재료로 유망할 것으로 기대된다. |
