| 학회 | 한국재료학회 |
| 학술대회 | 2010년 봄 (05/13 ~ 05/14, 삼척 팰리스 호텔) |
| 권호 | 16권 1호 |
| 발표분야 | G. Display (LCD, PDP, OLED) Materials(디스플레이 재료) |
| 제목 | 저온 열처리에 의한 IGZO TFT의 전기적 특성 향상 (Enhancement in electrical performance of IGZO TFT by low temperature thermal annealing) |
| 초록 | 현재 display 산업에서 thin film transistor (TFT)의 channel layer로 사용되는 a-Si의 경우 대형화, 고집적화로 발전해 나가는 상황에서 mobility가 낮아 적용하는데 한계가 있다. 이러한 문제를 극복하기 위해서 MOS (Metal Oxide Semiconductor)는 현재 display 산업에서 high mobility, transparency, smoothness and low process temperature의 장점을 가지는 물질로서 큰 관심을 받고 있다. 특히 높은 mobility는 TFT swiching 속도를 증가시키며, LCD제품의 Gate및 Data Driver의 intergration을 간단하게 만들며, Pixel Design또한 고해상도, 고개구율 설계가 가능하다. Low Temperature Poly Silicon (LTPS) TFTs의 경우 높은 원가와 낮은 생산성으로 어려움이 있으나, 상대적으로 IGZO 물질의 경우 a-Si보다 높은 mobility, 낮은 가격과 높은 생산성으로 많은 연구가 진행되고 있다. 본 연구에서는 DC sputtering 방법으로 p-Si substrate에 Ar (4 sccm) 80%와 Ar/O2 (1 sccm) 20% 혼합 gas상태에서 3m Torr의 압력을 유지시켜 증착 하였다. 실온의 nitrogen gas환경하에서IGZG channel layer가 TFT특성에 가장 영향을 미치는 post annealing 온도범위를 조절하여 TFT소자로서의 가능성을 평가하였다. IGZO TFT특성은 dark state의 실온에서 Semiconductor parameter analyzer (HP 4145B)에 의해 측정하였으며, Van der Pauw 방법을 이용한 hall 측정을 통해 resistivity, hall mobility의 전기적 특성을 분석하였다. 또한 IGZO film의 화학적 조성을 분석하기 위해 XPS (X-ray photoelectron spectroscopy) 장비를 이용하여 측정하였다. |
| 저자 | 전상진, Joyti Prakash, 이태일, 명재민 |
| 소속 | 연세대 |
| 키워드 | indium gallium zinc oxide (IGZO); TFT; annealing; electrical characterization |
