| 학회 | 한국재료학회 |
| 학술대회 | 2018년 봄 (05/16 ~ 05/18, 삼척 쏠비치 호텔&리조트) |
| 권호 | 24권 1호 |
| 발표분야 | C. 에너지 재료 분과 |
| 제목 | 탄소기판 위에 증착된 보론 도핑된 비정질 실리콘의 결정화 연구 |
| 초록 | 본 실험에서는 탄소기판을 이용한 실리콘 태양전지에 대하여 연구하였다. 다양한 응용과 경제성을 위하여 이종기판 위에서의 태양전지에 대한 많은 연구가 진행되어지고 있다. 그라파이트 기판은 낮은 열팽창 계수를 가지고 있으며 우수한 열 적 안정성을 가지고 있어 비교적 높은 온도에서도 공정이 가능하다는 장점이 있다. 그라파이트 기판위에 비정질 실리콘을 증착한 후에 급속 열처리 장비 (Rapid Thermal Annealing, RTA )를 이용하여 결정화를 시킴으로써 효율을 향상 시킬 수 있다. 박막은 탄소기판의 특성상 입자의 오염과 표면 거칠기를 제어하기 위해 실리콘 질화막을 베리어 층으로 증착을 하였고 그 위에 보론 도핑된 비정질 실리콘을 플라즈마화학기상증착법( Plasma-enhanced chemical vapor deposition, PECVD )을 이용하여 증착 하였다. 보론 도핀된 비정질 실리콘은 앞선 연구에서 진행하였던 실험을 참고하여 결정화 연구를 진행하였다. 결정화는 RTA를 이용하였으며, 온도를 800℃, 850℃, 900℃ 로 가변하여 진행 하였다. 결정화 진행된 샘플은 라만분석(Raman spectroscopy)을 통해 결정화도를 비교하였다. 더 좋은 결정화도를 찾기 위해서는 도핑된 보론의 양 변화와 결정화 시간을 가변하는 등 추가적인 실험이 더 필요할 것으로 보인다. |
| 저자 | 임경열, 장효식† |
| 소속 | 에너지과학기술대 |
| 키워드 | <P>탄소기판; 그라파이트; 비정질 실리콘; 결정화</P> |
