| 학회 | 한국재료학회 |
| 학술대회 | 2016년 가을 (11/16 ~ 11/18, 경주 현대호텔) |
| 권호 | 22권 2호 |
| 발표분야 | G. 나노/박막 재료 분과 |
| 제목 | Sol-gel processed Silicon Dioxide gate insulator development via Deep UV annealing for metal oxide thin film transistors. |
| 초록 | 플렉서블 디스플레이는 딱딱하고 부러지기 쉬운 평판의 형태에서 벗어나 깨지지 않고 유연할 뿐만 아니라 궁극적으로는 종이처럼 접거나 말 수 있는 개념의 차세대 디스플레이로써 각광받고 있다. 플렉서블 디스플레이 제작을 위해서는 플라스틱 등의 다양한 유연기판이 적용될 수 있어야 한다. 그러나 현재 사용하고 있는 PECVD 공정온도는 350℃ 이상의 고온이기 때문에 250~300℃이하의 저온공정이 요구되는 플라스틱 유연기판에는 적용이 힘들다. 때문에 기존의 진공증착법에 비해 공정과정이 간단하고, 공정단가가 낮으며 저온공정이 가능한 용액형 박막 증착법에 대한 연구가 활발히 진행되고 있다. 본 연구에서는 Perhydropolysilazane(PHPS)을 전구체로 사용하여 SiO2 게이트 절연막을 제작하였다. 탄소 이중결합을 포함하고 있는 Vinyltriethoxysilane(VTES)를 커플링제로 첨가함으로써 광 반응성 효과를 높였고, Deep UV 공정을 적용함으로써 전체 공정온도를 150℃ 이하로 낮추었다. PHPS 용액을 스핀코팅 방식으로 코팅한 후 Deep UV와 Thermal anneailing 을 진행하여 그 전기적 특성을 비교하였다. DUV 의 강한 photon energy 에 의해 낮은 온도에서도 높은 밀도와 우수한 절연특성을 가지는 SiO2 절연박막을 제작할 수 있었다. |
| 저자 | 정재경1, 설현주1, 이지원1, 조민회1, Azida Azmi2 |
| 소속 | 1한양대, 2인하대 |
| 키워드 | <P>oxide thin film transistor; solution process; gate insultor; low temperature</P> |
