화학공학소재연구정보센터
학회 한국화학공학회
학술대회 1996년 가을 (10/18 ~ 10/19, 경북대학교)
권호 2권 2호, p.2603
발표분야 재료
제목 열CVD법에 의한 Silocon tetraacetate로 부터 Silicon dioxide 박막합성
초록 비독성이고 취급하기 용이한 Silicon tetraacetate을 원료로 저온 열CVD법으로 Silicon dioxide 박막을 합성하였다. 실험을 통하여 성막에 관한 속도, 구조, 특성에 영향을 주는 다양한 성막인자들에 대한 반응속도론적인 해석과 공정의 특성해석으로 silicon dioxide 박막생성의 반응 최적조건을 찾는 것을 목적으로 하였다.
저자 김용석, 신형식, 문희, 박흥철
소속 전남대
키워드 thermal CVD; Silicon tetraacetate; Silicon dioxide
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