| 학회 | 한국화학공학회 |
| 학술대회 | 1999년 봄 (04/23 ~ 04/24, 성균관대학교) |
| 권호 | 5권 1호, p.1621 |
| 발표분야 | 재료 |
| 제목 | CVD법으로 제조된 알루미늄, 구리 및 확산방지막의 증착특성 |
| 초록 | 반도체 배선 공정을 위해 필요한 구리, 알루미늄, TiN 확산방지막의 화학증착 공정에서 공정 변수들이 막특성에 미치는 영향성을 살펴보았다. 특히 증착막 특성 개선을 위해 기판의 전후처리와의 영향성을 체계적으로 연구하였다. Al과 Cu의 경우는 수소 Plasma를 이용한 기판의 전처리나 WF6를 이용한 화학적 전처리가 구리나 알루미늄의 핵화의 증대 및 표면거칠기 개선에 매우 효과적 이었고, TiN 막의 경우는 수소 Plasma를 이용한 기판의 후처리가 막내의 불순물제거 및 전기적 특성 개선에 매우큰 효과가 있었다. |
| 저자 | 김도형 |
| 소속 | 전남대 |
| 키워드 | Chemical Vapor Deposition; Copper; Aluminum; Barrier; IC |
| 원문파일 | 초록 보기 |
