| 학회 | 한국재료학회 |
| 학술대회 | 2015년 가을 (11/25 ~ 11/27, 부산 해운대그랜드호텔) |
| 권호 | 21권 2호 |
| 발표분야 | A. 전자/반도체 재료 |
| 제목 | 전해정련법을 이용한 4N급 주석의 제조기술The method for making 4N grade Tin(Sn) by electrolytic refining |
| 초록 | 디스플레이 산업의 투명전극 제조용으로 사용되는 ITO(indium Tin Oxide)는 In2O3에 SnO2를 1~10wt%까지 첨가하여 제조한 타겟이다. 이러한 ITO 는 지금까지 개발된 투명전극용 재료 중 가장 우수한 전기적, 화학적, 투광 특성을 나타내고 있다. 반면, 사용률은 30~40% 정도만 사용되고 폐기되고 있는 실정으로, 사용 후 제조업체에서 대량 발생하는 사업장계 산업폐기물이 급증하고 있는 실정이다. 본 연구에서는, 이러한 디스플레이 산업에서 발생하는 Sn 폐기물을 원료로 하여 4N급 Sn의 제조기술에 관한 연구를 실시하였다. 특히, 전기분해법을 사용하여 인가 전류, 반응 온도, 전해액 조성등을 변화 시켜 연구를 진행하였고, 회수된 Sn은 ICP를 이용하여 순도 분석을 진행하였다. ICP 분석결과 회수된 Sn의 최종 순도는 4N (99.99%)이상으로 확인되었다. |
| 저자 | 황수현, 김태진, 고정현 |
| 소속 | 탑머티리얼즈 기업부설(연) |
| 키워드 | 4N sn; Sn waste; ITO; electrolytic refining |
