| 초록 |
열활성 지연형광(TADF) 형태의 OLED 재료는 삼중항 상태에서 단일항 상태로의 역계간전이가 일어나 OLED 디바이스 상에서 형광의 효율을 100%까지 낼 수 있는 특징을 가지고 있다. 이러한 재료를 일반적인 형광 dopant에 대한 host 재료로 활용할 경우 높은 양자효율을 얻을 수 있으며, 기본적으로 Host의 삼중항에서 Dopant의 삼중항으로의 Dexter 에너지 전이가 최소화 되어야 한다. 본 연구에서는 Host의 삼중항 에너지가 형광 Dopant로 전이 되는 것을 막기 위해 Host와 Dopant 사이에 분자궤도함수 중첩을 막을 수 있는 치환기를 분자 외곽에 도입하여 Dexter 에너지 전이를 억제하였다. 설계된 분자의 기본 구조는 diphenylsulfone을 중심으로 한쪽에는 9,9-dimethyl-9,10-dihydroacridine을 도입하여 TADF 특성을 확보하였고, 다른 한 쪽에는 Dexter 에너지 전이를 방지하기 위하여 삼중항 에너지가 높은 carbazole을 도입하였다. |
