| 학회 | 한국공업화학회 |
| 학술대회 | 2007년 봄 (05/11 ~ 05/12, 계명대학교) |
| 권호 | 11권 1호 |
| 발표분야 | 나노기술 |
| 제목 | 초임계 이산화탄소를 이용한 반도체 웨이퍼 막질의 선택적 건식 에칭 |
| 초록 | 현재까지 HF 수용액을 사용하는 습식 에칭공정은 실리콘웨이퍼를 에칭하는 효과적인 방법으로 알려져 있다. 그러나, 습식 공정은 환경적인 문제점은 물론 점차적으로 기술적인 한계점을 내포하고 있다. 따라서 본 연구에서는 초임계 이산화탄소 (scCO2, SCF)의 낮은 표면장력과 환경친화적인 특성을 이용하여, 기존의 수계 또는 유기용매로서 제조하기 어려운 극 미세 구조를 HF와 적절한 chemical을 사용하여 초임계 이산화탄소 내에서 처리하여 미세한 에칭 개구부로부터 chemical의 종류에 따른 희생층의 에칭 경향성을 분석하고, 공정 변화에 따른 에칭 속도, 선택성, 및 에칭 시 생성되는 부산물의 양이 얼마나 줄어드는지 경향성을 조사하였다. |
| 저자 | 정재목, 정유선, 박성열, 임권택 |
| 소속 | 부경대 |
| 키워드 | super critical carbon dioxide; etching; cleaning |
