| 초록 |
TFT-LCD, 반도체 소자 등의 박막 공정에서 마그네트론 스퍼터는 중요한 장비 중의 하나이다. 박막 제작 공정에서 타의 제한된 사용으로 재료비용이 증가하고 공정 손실 시간이 커짐에 따라 타겟의 수명을 길게 한 여러 가지 방법이 제안되어 왔다. 본 연구에서는 자기력선 시뮬레이션에 의거 종래 캐소드의 타 상부 타원형 자기력선의 2개 꼭지점 구조를 4개로한 새로운 WV(Wide View) 캐소드를 개발하였으며 Al, Ti 타을 사용해서 적산전력에 대한 박막의 두께, 에로젼 깊이를 측정 하였다. W V 캐소드를 장착해서 380 kWh 적산전력이 경과한 Ti 타의 박막두께는 초기와 비교해서 약 5%의 변화가 있으며 에로죤의 깊이는 시간이 경과됨에 따라 비례적으로 증가하며 종래형 캐소드에 장착해서 180 kWh 적산전력이 경과한 Al 타의 경우에는 박막두께는 초기에 비해 약 20%의 감소가 있었고 적산전력이 증가함에 따라 에로젼 형상으로 부터 사용효율이 약 40% 정도로 증가함을 알 수 있었다. |
