| 학회 | 한국공업화학회 |
| 학술대회 | 2005년 가을 (10/28 ~ 10/29, 건국대학교) |
| 권호 | 9권 2호 |
| 발표분야 | 화학공정 |
| 제목 | 노즐 형태의 HCRT MOCVD에 의한 티타늄 산화막 증착 |
| 초록 | 첨단기술의 발달로 현재 많은 응용 분야에 금속 물질이 사용되고 있다. 이러한 금속들은 응용 분야에 따라 내열성, 내부식성, 내화학성 등의 특성을 향상시킬 필요가 있지만 단일 금속만으로는 요구되는 조건에 만족시킬 수 없다[1]. 금속 표면에 막을 증착하기 위한 기술로 플라즈마를 많이 이용하는 추세이며, 플라즈마는 원천기술에 가깝기 때문에 응용 분야가 다양하다. 또한 나노 플라즈마를 이용한 환경 친화 공정 기술 연구가 활발하게 진행되고 있으며, 독일, 일본은 정전기 없는 반도체 포장지, 의료·바이오용 멸균 장비, LCD 및 PCB 플라즈마 세정을 위한 장비 등을 개발하고 있다[3]. 본 논문에서는 각각의 전구체를 따로 공급할 수 있는 노즐 형태의 HCRT (hollow cathode room temperature) 플라즈마를 개발하여 티타늄 산화막을 저온에서 직접 증착하였고, titanium ethoxide에 의해 티타늄 산화막을 증착 후 그 특성을 알아보았다. |
| 저자 | 김경수, 정일현 |
| 소속 | 단국대 |
| 키워드 | Hollow cathode; MOCVD; Titanium oxide film |
