| 학회 |
한국화학공학회 |
| 학술대회 |
2006년 가을 (10/27 ~ 10/28, 고려대학교) |
| 권호 |
12권 2호, p.2420 |
| 발표분야 |
재료 |
| 제목 |
Analysis of Reaction Mechanism as a function of H2+N2 Plasma Composition by hafnium nitride thin films |
| 초록 |
Plasma Assisted Atomic Layer Deposition을 이용하여 Transition Metal Nitride계열인 HfN을 SiO2/Si위에 제조하였다. 전구체와 대응반응물로는 TDMAHf[tetrakis(dimethylamino)hafnium]과 H2+N2 Plasma gas를 각각 사용하였다. HfN films이 제조되어지는 공정 중에 사용되는 H2+N2 Plasma gas의 조성에 따른 reaction mechanism을 알아보기 위해 증착온도 (Td=175℃)와 플라즈마 세기 및 처리시간을 일정하게 하였다. 제조된 HfN thin films의 전기적 특성과 두께, impurity concentration은 각각 Four-point prove, X-ray reflectivity와 Auger electron spectroscopy를 사용해 특성을 평가하였다. |
| 저자 |
정 훈, 김연홍, 김도형
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| 소속 |
전남대 |
| 키워드 |
HfN; ALD; Transition Metal Nitride
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| E-Mail |
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| 원문파일 |
초록 보기 |
