| 학회 | 한국공업화학회 |
| 학술대회 | 2010년 봄 (05/13 ~ 05/14, BEXCO(부산)) |
| 권호 | 14권 1호 |
| 발표분야 | 정보전자소재 |
| 제목 | MOCVD에 의한 AZO 합성에서 플라즈마 인가 효과 |
| 초록 | ZnO는 투명 전극으로 사용하기 위해서는 적절한 doping으로 10-3 Ω·㎝ 정도의 비저항을 갖도록 해야 한다. 본 연구에서는 TMA(Trimethyl Aluminuim, (CH3)3Al)와 DEZ(Diethyl zinc, (CH3CH2)2Zn)를 전구체로 사용하여 MOCVD 반응에 의해 Al doping된 ZnO 박막을 합성하였다. DEZ에 대한 TMA의 양을 조절하고, 온도, 압력을 변화시키며 성장속도, 표면 형상, 비저항의 변화를 α-step, XRD, XPS, SEM, 4-point probe 등을 이용하여 조사하였다. 레이저빔을 사용해 증착 과정의 표면반사 간섭 패턴을 in-situ 로 측정하였고, 특히 증착 과정 중 산소 기체에 플라즈마를 인가시켜 직, 간접 플라즈마의 영향을 조사하였다. |
| 저자 | 이종인, 김준영, 서문규 |
| 소속 | 청주대 |
| 키워드 | MOCVD; AZO; Plasma Enhacement; Al-doping; Reflectivity |
