| 초록 |
OTFT는 기존의 트랜지스터에 비해 저가격, 대면적 제조 등의 장점을 가지나 유기 반도체의 특성상 전통적인 실리콘 트랜지스터에 비하여 전하이동도가 낮기 때문에 빠른 전하이동도를 요구하는 소자에는 아직 쓰일 수 없다. 전하이동도가 낮은 이유로는 유기물의 구조적인 특성에 기인하기도 하지만 소스와 드레인에 사용되는 금 박막과의 접착력이 좋지 못하여 접촉 저항이 크게 작용하여 소자의 특성을 나쁘게 하는 이유도 있다. 따라서 전도특성이 좋고, 무기물과의 접착력이 우수한 재료와 공정의 개발이 필요하다. 본 연구에서는 기존의 유기 반도체 층으로 사용되는 poly 3-hexylthiophene(P3HT)과 pentacene은 그대로 사용하면서 현재 소스와 드레인의 재료로 사용되는 금과의 사이에 계면향상을 위한 buffer layer로서 사용할 수 있는 물질의 합성과 공정 적용에 관한 연구에 관하여 실험을 해보았다. 금과의 계면특성 향상을 위하여 thiophene 구조에 sulfur기를 도입한 oligo(3-methylsulfanylthiophene)을 합성하였으며, thiophene 계통의 물질을 올리고머 형태로 중합하여 thermal evaporation system을 통하여 증착함으로서 그 가능성을 알아보았다. |
