| 학회 | 한국화학공학회 |
| 학술대회 | 2000년 봄 (04/21 ~ 04/22, 한양대학교) |
| 권호 | 6권 1호, p.1953 |
| 발표분야 | 재료 |
| 제목 | Si(100) 기판 위에 성장된 3C-SiC(100)의 특성 연구 |
| 초록 | 주파 유도 화학 증착 장치를 이용하여 SiC 박막을 Si(100) 기판 위에 성장하였다. XRD를 이용하여, 모든 성장온도(1170 ∼ 1300 ℃)에서 SiC 박막은 monocrystalline되었음을 확인하였고, SiC의 결정크기는 10-20 nm임을 sherrer 식을 이용하여 구하였다. 100torr에서 성장한SiC 박막의 FT-IR결과, 약 796 cm-1에서 Si-C의 TO mode phonon을 관찰하였고, 박막 내에stress가 거의 존재하지 않음을 확인하였다. Si/C의 비가 증가함에 따라 성장된 SiC 박막의두께는 증가되었고, 계면의 void가 없어짐을 확인하였다. 결국 Si 기판으로부터 Si 원자가 외부확산에 의해 형성되었음을 알려주며, SiC/Si 계면에서 void는 Si/C의 비를 변화시킴으로써제어될 수 있다. |
| 저자 | 김광철, 박찬일, 노재일, 남기석 |
| 소속 | 전북대 |
| 키워드 | SiC(100); XRD; FT-IR; Void; Stress etc. |
| , , , | |
| 원문파일 | 초록 보기 |
