| 학회 | 한국화학공학회 |
| 학술대회 | 1998년 봄 (04/24 ~ 04/25, KOEX) |
| 권호 | 4권 1호, p.989 |
| 발표분야 | 재료 |
| 제목 | Chloride VPE (CVPE) 법을 이용한 GaN 증착공정의 열역학적 해석 |
| 초록 | 갈륨질소(GaN)는 wide bandgap (약 3.4 eV) 반도체로 직접천이형 band를 갖는 III-V족 질화물 중 대표적인 재료로서, 고온 및 고주파용 전자소자 그리고 청색 및 자외선 영역의 광전소자에 사용될 수 있는 우수한 재료이다. 본 연구에서는 수평로 내의 GaCl3와 NH3의 반응을 이용한 CVPE 법에 의하여 GaN 박막을 sapphire 기판위에 성장시켰다. CVPE 법에 의해 성장된 GaN 박막은 일반적으로 증착속도가 빠른 반면, 표면 거칠기가 크고, N vacancy 등 박막내의 결함이 많은 것으로 알려져 있으나 여러 증착변수의 효율적인 조절로 이러한 문제점을 극복할 수 있다. 따라서 본 연구에서는 증착 공정의 최적화를 통해 GaN 박막의 특성을 개선하기 위한 여러가지 실험 연구를 수행하였고 또한, 증착 실험에 앞서 증착 공정의 열역학적 전산 모사를 수행함으로써 최적의 공정조건을 도출하고자 하였으며 이를 실험 결과와 비교 검토하였다. |
| 저자 | 신희섭, 신무환, 박진호 |
| 소속 | 영남대 |
| 키워드 | CVPE; GaN |
| 원문파일 | 초록 보기 |
