| 학회 | 한국재료학회 |
| 학술대회 | 2003년 가을 (11/21 ~ 11/22, 연세대학교) |
| 권호 | 9권 2호 |
| 발표분야 | 반도체 |
| 제목 | Ru, SiC 쇼트키 다이오드 제작 및 특성평가 |
| 초록 | SiC는 wide bandgap 물질로서 그 material properties로 인하여, high tmperature, high power, high frequency영역으로의 사용이 기대되는 물질이다. 따라서 SiC에 대한 기본적이 연구와 더불어, 그 소자 제작 및 응용에의 연구가 절실한 시점이다. 이에, SiC 기본적인 소자중 하나인 Schottky diode에 대해 연구하였다. 본 논문은 Schottky contact 물질로써 현재까지 연구가 미비한 Ru을 사용하였다. Ru은 Pt 계열물질로써, 다른 metal에 비하여 열역학적으로 안정하며, 또한 그의 산소 화합물인 RuO2는 다른 oxide에 비하여 전도성이 높은 장점을 가지고 있다. 따라서 Ru-SiC diode는 이러한 측면에서 연구할 만한 가치가 있다. 그러나 그 제작의 어려움으로 인하여 지금까지 연구가 미비한 실정이다. 이에 본 연구에서는 evaporator, sputter 및 CVD process를 이용하여 Ru-SiCdiode를 제작하고, IV 및 CV 측정을 통해 소자 특성을 파악하였다. 한편 XRD, SEM등의 분석을 통하여 Ru과 SiC 사이의 contact 의 기본적 특성에 대하여 연구하였다. |
| 저자 | 송인복, 김형준, 나훈주, 김대환, 정상용, 송호근, 엄명윤 |
| 소속 | 서울대 |
| 키워드 | SiC; Ru; Schottky diode |
