| 초록 |
박막형 태양전지는 높은 효율과 비교적 낮은 공정비용의 차원, 연성기판 적용성 등에서 관심을 끌고 있으며 점차 시장 점유율이 증가하고 있는 추세를 나타낸다. 박막형 태양전지가운데 CIGS계 태양전지는 지금까지 발표된 박막형 태양전지의 효율 가운데 가장 높은 수치를 나타내어 더욱 관심의 초점이 되고 있다. 기존의 CIGS 박막형 태양전지는 evaperation, sputtering 등의 방법으로 주로 코팅되고 있으며, 유독한 셀레늄이 포함된 가스를 사용한 열처리 공정이 수반되어 공정의 안정성과 접근성에 장애가 되고 있다. 본 연구에서는 셀레늄 가스를 따로 공급하지 않고 단일 복합 타겟을 사용한 스퍼터링 기술로 CIGS계 태양전지용 박막을 형성하고자 한다. Si 기판상에 RF 스퍼터 건을 사용하여 CIGS 박막을 증착한 후에 공정조건에 따른 박막의 두께, 결정구조, 미세조직, 그리고 열처리에 따른 변화를 살펴보았다. 바이어스 인가에 따라 결정 피크의 변화를 관찰할 수 있었으며, 같은시간 스퍼터링 한 후 코팅 두께는 바이어스를 인가한 경우가 3배 가까이 작게 나타났다. EDX 분석 결과 바이어스 인가에 따라 Se의 함량이 줄어들었음을 확인할 수 있었다. |
