| 학회 | 한국재료학회 |
| 학술대회 | 2006년 가을 (11/03 ~ 11/03, 수원대학교) |
| 권호 | 12권 2호 |
| 발표분야 | 반도체 재료 |
| 제목 | 암모니아 주기적 중단에 의한 자기조립 InGaN 양자점 형성(Fabrication of self-assembled InGaN Quantum Dots by ammonia periodic interrupt) |
| 초록 | 최근 넓은 밴드갭에너지를 가지는 III-V족 질화물반도체의 광학적 특성에 관한 연구가 급속히 확산되고 있는 추세이다. 현재 InGaN/GaN 양자우물구조는 대부분의 질화물반도체를 이용한 발광소자에서 활성층으로 많이 사용된다. 이러한 구조보다 더 효율이 좋은 것으로 알려져 있는 InGaN 양자점의 연구 또한 활발히 진행되고 있다. 본 연구에서는 기판과 Epitaxial층의 격자상수 차이(격자부정합)에 기인하는 3차원 Island 성장을 양자점 형성에 이용하는 자기조립 방법으로 분포 밀도가 높은 InGaN 양자점을 형성하였다. buffer 층으로서는 고품질의 GaN Epitaxial 층을 사용하였다. InGaN 양자점의 형성시 암모니아를 일정시간 간격으로 주기적으로 넣어줌으로써 InGaN 양자점의 크기가 암모니아 주기에 따라 일정하게 형성되었다. 또한 양자점 성장시 이송가스로 질소를 사용하여 수소에 의한 InN의 분해를 최소화하여 인듐의 함량을 증가시켰다. 이러한 방법으로 형성시킨 InGaN 양자점의 암모니아 주입횟수에 따른 형상을 AFM을 이용하여 분석하고 광학적 특성을 분석하였다. |
| 저자 | 최승규, 장재민, 이성학, 김정아, 정우광 |
| 소속 | 국민대 |
| 키워드 | MOCVD; InGaN; Quantum Dots; ammonia |
